近日，多個海內外高?？蒲袌F隊在Micro LED領域有最新研究成果，以提升Micro LED性能，并降低其制造成本。

　　湖南大學團隊聯合諾視、晶能等研發(fā)超高亮度Micro LED微顯示芯片

　　近日，湖南大學潘安練教授和李東教授團隊聯合諾視科技、晶能光電等合作者，成功開發(fā)了包括大尺寸高質量硅基Micro LED外延片制備工藝、非對準鍵合集成技術和原子級側壁鈍化技術的IC級GaN基Micro LED晶圓制造技術，在硅襯底GaN外延片上實現了目前公開報道最高亮度的綠光Micro LED微顯模組。

　　圖片來源：Light:Science & Applications

　　相關研究結果以“Ultra-highbrightness Micro-LEDs with wafer-scale uniform GaN-on-siliconepilayers”為題在Light:Science & Applications上發(fā)表。

　　韓國科研團隊開發(fā)新技術，制造高效亞微米Micro LED

　　外媒報道，由Young Rag Do教授領導的韓國國民大學研究團隊開發(fā)了一種新型自上而下工藝，用于制造和隔離亞微米氮化鎵Micro LED。這項工藝結合了電化學腐蝕和超聲波化學分離技術刻蝕多孔層，以隔離Micro LED。

　　圖片來源：韓國國民大學

　　研究人員使用這一工藝生產了鍍金的氮化鎵藍色LED，其外部量子效率(EQE)為6.21%(在4.0 V電壓下)并且發(fā)光效率為1070 cd/m^2(在10.0 V電壓下)。這些LED的直徑為750納米。

　　此外，研究人員進一步研究了影響點狀LED的納米孔尺寸、分離率和發(fā)射特性的電化學變量，以及溶劑類型對利用聲化學工藝進行超聲波分離的影響。

　　這項研究展示了通過自上而下的工藝制造Micro LED的潛力，這可能對提高Micro LED顯示器的性能和降低制造成本具有重要意義。通過優(yōu)化電化學和超聲波化學過程，研究人員能夠提高Micro LED的組裝產量和性能，為未來Micro LED顯示技術的發(fā)展提供了新的方向。

　　韓國科研團隊利用垂直自組裝工藝，提升Micro LED性能

　　據報道，韓國國民大學與慶熙大學合作，通過基于化學連接劑螯合鍵的流體自組裝方法，成功提升了Micro LED的性能。研究表明，與以往方法相比，組裝效率提升了61.8%。研究團隊垂直組裝的1.3微米Micro LED在9V電壓下實現了8.1%的峰值外量子效率(EQE)和22,300尼特的亮度。

　　據悉，研究人員開發(fā)了一種新的方法，使用能夠與鋅金屬復合物內進行金屬螯合配位相互作用的化學連接劑，實現Micro LED的面選擇性垂直組裝。

　　圖片來源：韓國國民大學

　　該新工藝分為三個步驟。首先，使用自組裝單分子層(SAM)方法，用甘氨酸-巰基(gly-thiol)處理Micro LED的p-GaN表面和底部的Au層。第二步，使用各種鋅前體處理經過甘氨酸-巰基處理的底部Au電極，以形成金屬螯合配位鍵。最后，經過甘氨酸-巰基處理的Micro LED通過螯合鍵實現垂直自組裝。

　　美國高校團隊開發(fā)高性能溶液處理晶體管，用于Micro LED顯示

　　據悉，近日，伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校的研究人員開發(fā)了一種新工藝，用于為高性能Micro LED顯示器制造晶體管。研究人員表示，這是迄今為止性能最高的溶液處理的半導體晶體管，并且成本更低。

　　圖片來源：伊利諾伊大學

　　這種新工藝基于有序缺陷化合物半導體CuIn5Se8，通過溶液沉積法制備。這些晶體管被用來形成兆赫茲頻率下運行的高速邏輯電路，為小型508 PPI藍光Micro LED顯示器供電。

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　　美國與波蘭研究團隊開發(fā)全球首款晶體管與LED雙電子芯片

　　據悉，康奈爾大學與波蘭科學院的研究人員合作，開發(fā)了世界上第一塊結合了LED和晶體管的芯片。這種雙電子芯片可能會為實現更小、成本更低、效率更高的LED提供新思路。

　　圖片來源：康奈爾大學

　　具體來看，研究人員構建了氮化鎵器件，使其一側具有高電子遷移率晶體管(HEMT)，另一側具有LED。研究人員利用了氮化鎵的在晶軸上具有較大的電子極化的獨特屬性，使其每個表面具有不同的物理和化學屬性。鎵側適用于光子器件，而氮側適用于晶體管器件。

　　研究人員首先在單晶圓片上生長透明的氮化鎵基板(400微米厚)，之后使用分子束外延(MBE)技術，生長了HEMT和LED異質結構。這個器件被運送到康奈爾大學，康奈爾大學繼續(xù)在氮極面上構建和處理HEMT。最后一步是在金屬極面上創(chuàng)建LED，使用厚的正光敏抗蝕劑涂層來保護先前處理過的n極面。